开关瞬态阶段SiC MOSFET建模阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-12-02
图 1 显现了处于开关瞬态阶段的 SiC MOSFET 建模进程，该进程基于电感钳位电路，该电路具备很少的关头寄生参数 Cgs、Cds 和 Cgd。因为寄生参数对 SiC MOSFET 的特征有很大影响，是以在建模时应赐与首要斟酌。
图 1：电感钳位电路的拓扑布局
开启状况的表征
开启瞬态另有 4 个子阶段。这四个子阶段显现了电感钳位电路中栅极和功率栅极回路之间的干系。
这些子阶段被定名为：
子阶段 S11（开启提早）
子级 S12（电流换向）
子级 S13（电压换向）
子阶段 S14（开启振铃）
关断状况的表征
正如在 Turn-on 中一样，Turn-off 状况的表征也包含 4 个子阶段。在这里能够准确地说，子级 S11（接通提早）、子级 S12（电流换向）和子级 S13（电压换向）在接通状况下利用的机制是类似的用于后续步骤，比方 S21（关断提早）、S22（电压换向）和 S23（电流换向）。独一的变更是在称为 S24 的封闭振铃阶段。
结电容和跨导建模
CV 特征曲线说了然基于 Si 的器件和结电容的 SiC MOSFET 非线性。CV 特征的曲线拟合具备诠释这些电容建模的才能。
图 2 显现了拟合和丈量的 CV 特征曲线之间的比拟，而图 3 显现了拟合和丈量的 IV 特征曲线之间的比拟，这许可表征跨导。
利用 FSM 对开关状况停止建模
FSM 的接纳说了然开关瞬态进程中子级的彼此感化。图 4 显现了 FSM 的流程图。表 1 和表 2 别离显现了 FSM 在导通和关断瞬态时代的首要特征。
图 4：FSM 流程图
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