CMOS集成电路观点：沟道宽长比-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-11-29
本文先容的数字后端观点是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个根基观点。
沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。是因为外加电场引发的沿长度标的目的的导电层。
以下图所示：
MOS督工作在非饱区时，I-V特征曲线公式类似为：
是以，沟道宽长比对MOS管来讲长短常主要的一个参数目标。宽长比越大，MOS管的 饱和电流(Idsat)就越大，机能就越好。
在数字后端中，沟道的宽长比也表现在单位库上。当沟道长度L不异时，差别的沟道宽度会形成cell的差别高度，咱们凡是说的7 Track, 9 Track便是代表差别的沟道宽度，沟道宽度越大，速率也越快，功耗也越大；
当沟道宽度W不异时，差别的沟道长度L也会形成cell的速率差别，咱们凡是看到的cell名字里的C14,C16便是代表差别的沟道长度。L越小，速率也越快，功耗也大。
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