【保藏】典范NMOS开关驱动电路分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-11-18
注：
Q5：一个NMOS管。
R25/100R 的感化：
防止振荡
削减栅极充电的峰值电压
掩护NMOS管的D-S及不被击穿
防止震动，GPIO口输入端能够有些杂散的电感，在电压渐变的环境下，能够会发生LC振荡，当咱们插手R25以后，会进步阻尼削减振荡。
削减栅极充电的峰值电压，当栅极的电压拉高，起首对栅极的寄生电容停止充电，I=Q/t。充电的峰值电流能够大于GPIO的输入才能，为了掩护IC,增添R25以后，能够有用的增添充电的时辰，进而减小充电时辰的电流。
从导通到停止状况，VDS电压敏捷增添，若是dVDS/dt过大，能够会烧坏器件，R17的存在能够让栅极电容迟缓放电，从而掩护mos管。
R26 10K的感化：
下拉型抗搅扰电阻，GPIO输入状况下，在Nmos端，能够看出mos端处于一个高阻态或悬浮的一个状况，为了防止不测翻开mos管，加上了个10k下拉。
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