【PMOS电路】PMOS低电平驱动分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-11-10
如上图，PMOS管是压控型器件，|Vgs|电压大于|Vth|电压时，外部沟道在场强的感化下导通，|Vgs|电压小于|Vth|电压时，外部沟道停止;
|Vgs|电压越高，外部场强越大，导通水平越高，导通电阻Ron越小,注重，|Vgs|电压不能跨越芯片许可的极限电压;
申明：PMOS管普通作为高端驱动器件，源级S接电源正极。
1、寄生二极管
操纵时，要出格注重外部寄生二极管，若是接反，将致使没法封闭PMOS管；别的，某些场所能够或许巧用寄生二极管，比方做防反接操纵时，概况请浏览前面的内容。
2、寄生电容
操纵时，要出格注重GS管脚的寄生电容Cgs，节制PMOS管的导通与停止，实质上是节制Cgs电容的充放电；
若是请求PMOS疾速导通与停止，此时须要驱动源能够或许供给充足大的驱动电流，以供给Cgs电容的刹时充放电；
若是仅仅作为开关操纵，能够或许串电阻，以减小Cgs的充放电电流，此时，对驱动源的请求就不高，单片机的IO口(推挽输入时，能够或许供给20mA的驱动电流)能够或许间接驱动。
①、Ids电流，导通电阻Ron越小，许可的Ids越大；
②、开关速度，详看手册的翻开、坚持、封闭时候；
③、Vgs开启电压，驱动电压，极限电压；
④、Vds极限电压；
⑤、封装尺寸；
防反接
设想申明：
1、奇妙操纵外部寄生二极管。上电时，经由过程外部寄生二极管，|Vgs|电压大于|Vth|电压，PMOS管完整导通；
2、R29，R31:电阻分压，调剂|Vgs|电压，|Vgs|电压尽可能大，如许，Ron越小，压降越小，消耗越低；
3、D5、稳压二极管，防止|Vgs|电压跨越极限电压。
高端开关
设想申明：
1、若是VIN电压小于单片机IO口电压，能够或许去掉U6，间接节制U5；
2、R10，R12:电阻分压,调剂Vgs电压，|Vgs|电压尽可能大，如许，Ron越小，压降越小，消耗越低；
3、R12同时起到限流感化，U6导通时，Cgs寄生电容经由过程R12充电，防止过大的充电电流流过U6，呈现多量量出产时，MOS管被击穿的景象。
4、R16一样起到限流感化，单片机输入低电日常平凡，Cgs寄生电容经由过程R16放电，防止过大的放电电流流过单片机的IO口，呈现多量量出产时，单片机IO口被击穿的景象。
5、F2是PTC可规复保险丝，启动限流、短路掩护的感化。
小结
PMOS管是驱动电路经常利用的器件，操纵时按照需要公道挑选型号，操纵时注重外部寄生参数，极限参数，进步产物的靠得住性。
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