用三极管间接驱动MOS?需注重这些-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2022-11-01
用三极管间接驱动MOS能够吗?能够间接驱动。
因为MOS场效应管是一种电压驱动器件,要想使其充实导通,请求其栅极驱动电压的幅度要充足大,而一些高压IC电路(比方3.3V供电的单片机电路)输出幅度较小,间接用来驱动MOS场效应管,底子没法使管子完整导通。
为处理此题目,常加一级双极型三极管驱动电路来驱动MOS场效应管,其电路以下图所示。
上图中,VT1为NPN型三极管,其基极输出旌旗灯号的幅度只要5V,而MOS场效应管VT2的开启电压较高,要想使其充实导通,其栅极驱动电压普通请求≥10V。
为了能驱动MOS场效应管导通,电路中加了一级三极管电路,当VT1基极其5V高电日常平凡,VT1导通,VT2停止;当VT1基极其低电平0V时,VT1停止,其集电极的10V电压(Rc上的压降几近为零,能够疏忽不计)间接加至VT2的G极(即栅极),如许便能够使VT2取得充足的栅极电压而导通。
在用三极管驱动MOS场效应管时,须要注重MOS场效应管栅极所接电阻(即上图中的Rc)的取值。
若MOS场效应管的开关速率很低,此时Rc能够选用上百KΩ的电阻,如许能够减小驱动电路的耗电。
若MOS场效应督工作于高速开关状况,此时Rc不宜取值过大,不然MOS场效应管栅源电容充放电的时候较长,会影响MOS场效应管的开关速率,此时Rc普通选用几KΩ的电阻。
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