【保藏】机电驱动功耗的计较-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-10-26
在为特定利用挑选机电驱动器IC时，一个关头斟酌身分是可经由过程该器件驱动的最大电流。器件和PCB的热性能经常限定了机电驱动器可以或许宁静处置的电流。正因如斯，在设想机电利用时，计较机电驱动器的总功耗相当首要。
要计较机电驱动器中的近似功耗，必须斟酌机电驱动器IC内部的一切功耗源，比方FET导通电阻中的功耗。
Rds(on)耗散
机电驱动器IC内最大的功耗源是FET导通电阻或Rds(on)中的功耗。比方，H桥（利用高边FET和低边FET）的功耗为：
此中，P(Rds)为输入FET中的功耗；HS为高边FET的电阻；LS为低边FET的电阻，Io是加载到机电中的RMS输入电流。
清注重：
Rds(on)会随温度降低而增添，由于器件变热时，功耗也随之增添。
开关耗损
当输入从高电平转换为低电平或从低电平转换为高电日常平凡，输入器件会穿过一个线性地区，在该地区，它们的功耗会较着高于完整导通时的功耗。这类功耗称为开关耗损。
在类似计较中，各输入的开关耗损为：
此中，Psw为一个输入的总开关耗损（以瓦特为单元）；P(RISE)为回升沿时代的功耗；P(FALL)为降落沿时代的功耗。
睁开上述方程：
此中，Vm为电源电压（以伏特为单元）；Iout为输入电流（以安培为单元）；tR为回升时候（以秒为单元）；tF为降落时候（以秒为单元）；fsw为开关频次（以赫兹为单元）。
大大都环境下，tR和tF的值均包罗在驱动器的规格书中。
任务电源电流耗散
在现实利用中，机电驱动器IC会耗损一些电流。
此功耗的计较公式以下：
P=Vm×Im
此中，Vm为机电驱动器的任务电压；Im为机电驱动器的任务电流。
其余功耗
在某些机电利用中，你能够但愿利用LDO调理器来供给内部电源负载。此功耗的计较公式以下：
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