MOS管参数：TJ、TA、TC的计较分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-10-12
普通情况下 TC=TJ-P*Rjc 或TA=TJ-P*Rja
P是芯片最大的功耗
Rjc是结壳间的热阻Rja表现结与情况间的热阻
利用比拟普遍的是计较二极管和MOS管的消耗和温度是不是撑持的住，咱们普通计较都是室温下25，若是是放在温箱中TA带入就不能是25
比方一个器件室温下任务TA=TC=25度
功耗最大是1.5W Rja=Rjc=83.3
TJ=25+1.5*83.3=149.95
以是 TC=150-P*Rjc
假设管子功耗是1W 则最大能蒙受的的壳体温度为TC=150-1*Rjc=66.7度
若是壳体温度大于66.7度 对应的管子的功耗必然降落 管子自身也对应有一个功耗的降额值
比方说12mw/度 那末对应的功耗P=Pmax-(TC-25)*0.012
P=1.5-（66-25）*0.012=1.008W 同温度计较值相差不大 公式顺应
经由过程这类体例 能够变相算出TJ TC和功耗等情况。
同时 当温度太高时 二极管的正向电流会响应减小 （跟负载才能相干） 正向导通压降会响应减小 这个能够参考手册曲线，选型二极管的时辰必然要保障二极管的消耗在0.5W内，不然不顺应于二极管的场所。
根据下面的公式能够 推出TJ=25+110*1.14=150 合适公式
P=(150-TC)/1.14
假设任务情况在60度的时辰 则P=（150-60）/1.14=79W
MOS管选型时辰须要斟酌开关消耗和温度
纯开关利用 不斟酌开关消耗是 P=ID^2*Rdson ID是持续泄电流
根据现实利用推算 P=(150-TC)/1.14 公式 能够反向推导ID是几多。
当触及到开关 必须要斟酌的便是消耗 消耗与芯片的运转温度和发烧量有关系
MOS管的消耗包罗：AC消耗 DC消耗 死区时辰功耗（在有占空比的时辰用到 同步整流时辰二个管子同时封闭）
AC 消耗（PswAC） = ? * Vds * Ids * (trise + tfall)*Fsw
DC 消耗: PswDC = RdsOn * Iout * Iout * 占空比（此中占空比为输出/输出）
死区时辰消耗Pdt=2*VF(体二极管的导通压降)*Io*Tdead_time*Fsw
若是是同步整流电流 则:
高边管的导通电阻消耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)
低边管的导通电阻消耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(1-Vo/vin)
若是是异步整流，则下管是二极管：
高边管的导通电阻消耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)
二极管的导通电阻消耗PswDC = VF*Iout*(1-Vo/vin)
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