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电源芯片任务温度的计较、参数寄义-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2022-10-11 

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电源芯片任务温度的计较、参数寄义-KIA MOS管


参数根基界说

TJ:芯片结温(Die junction temperature, °C)

TC:芯片封装外表温度(Package case temperature, °C)

TB:安排芯片的PCB板温度(Board temperature adjacent to package, °C)

TT:芯片封装顶面中间温度(Top of package temperature at center, °C)

TA:芯片四周氛围温度(Ambient air temperature, °C)

qJA:硅核到四周氛围的热阻系数(Thermal resistance junction-to-ambient, °C/W)

qJC:硅核到封装外表的热阻系数(Thermal resistance junction-to-case, °C/W)

qJB:硅核到PCB板的热阻系数(Thermal resistance junction-to-board, °C/W)

YJB:硅核到PCB板的特点参数(Junction-to-board characterization parameter,°C/W)

YJT:硅核到封装顶部的特点参数(Junction-to-top (of package) characterization parameter, °C/W)

P:装备功耗(Power dissipated by device, Watts)


温度丈量及结温计较

下图是热阻计较公式的总结,经由过程上面的公式,能够经由过程手册中的可获得的参数,计较获得芯片任务的现实结温。


芯片 温度 计较 参数

图1  热阻计较公式总结


1.TA丈量及TJ计较器

芯片 温度 计较 参数

图2  TA温度测试点

热阻计较公式:qJA =(TJ- TA)/P

公式变更:TJ = TA + qJA*P


2.TC丈量及TJ计较器

普通TC温度测试点有三种情况:

芯片 温度 计较 参数


热阻计较公式:qJC=(TJ- TC)/P

公式变更:TJ = TC + qJC*P


3.TB丈量及TJ计较器

有绝缘层测试

芯片 温度 计较 参数

图6  TB PCB板测试点(有绝缘层)

热阻计较公式:qJB=(TJ- TB)/P

公式变更:TJ = TB + qJB*P


无绝缘层测试

芯片 温度 计较 参数


Eg:

比方一个芯片热阻:qJA=55°C/W,测试获得任务情况温度:TA = +35°C,任务功耗:P=0.6W


则能够计较结温:TJ = 35°C + (55°C/W * 0.6W) = 68°C


注:普通请求TA不要跨越手册请求,结温也要低于手册请求并要留有余量(10~15°C为好)


上面看一下现实数据手册的数据,要保障芯片宁静温度的任务,情况温度TA应当知足在-10~70°C规模内,并且最初计较出来的结温应当低于120°C(留有15°C余量)。

芯片 温度 计较 参数



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