电源芯片任务温度的计较、参数寄义-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2022-10-11
TJ:芯片结温(Die junction temperature, °C)
TC:芯片封装外表温度(Package case temperature, °C)
TB:安排芯片的PCB板温度(Board temperature adjacent to package, °C)
TT:芯片封装顶面中间温度(Top of package temperature at center, °C)
TA:芯片四周氛围温度(Ambient air temperature, °C)
qJA:硅核到四周氛围的热阻系数(Thermal resistance junction-to-ambient, °C/W)
qJC:硅核到封装外表的热阻系数(Thermal resistance junction-to-case, °C/W)
qJB:硅核到PCB板的热阻系数(Thermal resistance junction-to-board, °C/W)
YJB:硅核到PCB板的特点参数(Junction-to-board characterization parameter,°C/W)
YJT:硅核到封装顶部的特点参数(Junction-to-top (of package) characterization parameter, °C/W)
P:装备功耗(Power dissipated by device, Watts)
下图是热阻计较公式的总结,经由过程上面的公式,能够经由过程手册中的可获得的参数,计较获得芯片任务的现实结温。
图1 热阻计较公式总结
1.TA丈量及TJ计较器
图2 TA温度测试点
热阻计较公式:qJA =(TJ- TA)/P
公式变更:TJ = TA + qJA*P
2.TC丈量及TJ计较器
普通TC温度测试点有三种情况:
热阻计较公式:qJC=(TJ- TC)/P
公式变更:TJ = TC + qJC*P
3.TB丈量及TJ计较器
有绝缘层测试
图6 TB PCB板测试点(有绝缘层)
热阻计较公式:qJB=(TJ- TB)/P
公式变更:TJ = TB + qJB*P
无绝缘层测试
Eg:
比方一个芯片热阻:qJA=55°C/W,测试获得任务情况温度:TA = +35°C,任务功耗:P=0.6W
则能够计较结温:TJ = 35°C + (55°C/W * 0.6W) = 68°C
注:普通请求TA不要跨越手册请求,结温也要低于手册请求并要留有余量(10~15°C为好)
上面看一下现实数据手册的数据,要保障芯片宁静温度的任务,情况温度TA应当知足在-10~70°C规模内,并且最初计较出来的结温应当低于120°C(留有15°C余量)。
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