MOSFET驱动参数：最小门极电阻计较-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-10-10
在《IGBT和MOSFET的驱动参数的计较体例》该利用指南中由 Eq.6 获得了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼前提 Eq.7，并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计较公式。
但是，该利用指南并未报告若何推导出 Eq.7，故写此文列出推导进程，以下：
由 Eq.6 可知串连 RLC 电路的特点方程为：
特点根为：
奈培频次为：
谐振频次为：
为了保障门极电流 i(t) 不振荡，则电流呼应应为过阻尼，既有：
综上所述，可得：
至此，Eq.7 得证。
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