Cadence仿真：MOS管参数称号剖析-KIA MOS管

Cadence仿真中，MOS管的参数良多，有些参数能够间接增加到计较器中，停止数据的计较。

type：MOS管范例，能够值为 n 或 p。

region：MOS管的任务地区，能够值为 0~4，别离对应：0： 关断；1： 线性区；2： 饱和区；3： 亚阈值区；4： 击穿

reversed：MOS管是不是反向，能够值为 yes 或 no。

ids (A)： 阻性漏源电流

lx4 (A)： ids 的又名，当 MOS管反向时有相反的标记。

lx50 (A)：衬源电流。

vgs / lx2 (V)：栅源电压。

vds / lx3 (V)：漏源电压。

vbs / lx1 (V)：衬源电压。

vth (V)：有用阈值电压。

lv9 (V)：vth 的又名。

vdsat (V)：漏源饱和电压。

lv26 (V)：平带电压（Flat-band voltage）。

lv10 (V)：vdsat 的又名。

gm / lx7 (S)：共源跨导。

gds / lx8 (S)：共源输入跨导。

gmbs / lx9 (S)：衬底跨导。

betaeff (A/V2)：有用 β 值。

cjd / lx29 (F)：漏区衬底结电容。

cjs / lx28 (F)：源区衬底结电容。

lx12 (Coul)：衬底电荷（Qb）

lx14 (Coul)：栅极电荷（Qg）

lx16 (Coul)：漏区电荷（Qd）

lx24 (Coul)：漏区 PN 结电荷。

lx26 (Coul)：源区 PN 结电荷。

cgg / lx18 (F)：dQg_dVg

cgd / lx19 (F)：dQg_dVd

cgs / lx20 (F)：dQg_dVs

cgb (F)：dQg_dVb

cdg / lx32 (F)：dQd_dVg

cdd / lx33 (F)：dQd_dVd

cds / lx34 (F)：dQd_dVs

cdb (F)：dQd_dVb

csg (F)：dQs_dVg

csd (F)：dQs_dVd

css (F)：dQs_dVs

csb (F)：dQs_dVb

cbg / lx21 (F)：dQb_dVg

cbd / lx22 (F)：dQb_dVd

cbs / lx23 (F)：dQb_dVs

cbb (F)：dQb_dVb

ron()：导通电阻。

id / i1 (A)：漏端电流。

is / i3 (A)：源端电流。

ibulk / i4 (A)：衬底电流。

lx5 (A)：源端 PN 结电流。

lx6 (A)：漏端 PN 结电流。

pwr (W)：处于任务点时的功耗。

gmoverid (1/V)：Gm/Ids

lv36 (F)：栅源交叠电容。

lv37 (F)：栅漏交叠电容。

lv38 (F)：栅衬底交叠电容。

lx10 (S)：漏区二极管跨导。

lx11 (S)：源区二极管跨导。

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