过驱动电压对电路失配有影响吗？详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-09-29
图1 电阻负载运放
按照拉扎维《摹拟CMOS集成电路设想》中14.2.1节的推导，电阻负载的运放的直流平衡能够表现为式1：
由式(1)可知：
负载电阻失配与晶体管尺寸失配对平衡电压的影响跟着静态任务点过驱动电压增大而增大；
阈值电压失配间接折合到输出。
是以，在电路设想时，应当设想运放的输出对管具备更小的过驱动电压以减小平衡。
按照拉扎维《摹拟CMOS集成电路设想》中14.2.1节的推导，电流镜的电流失配用均匀电流值归一化后可表现为式(2)：
这个成果表现，为了使电流失配最小，必须使过驱动电压到达最大，这与式(1)论断是相反的，这是由于在平方律公式中，跟着VGS-VTH的增添，阈值电压的失配对器件电流的影响愈来愈小。
对电流源负载的运放，负载电流源会存在式(2)所示的的电流失配ΔID，其等效到运放的平衡电压为ΔID/gm，对给定的电流，gm=2ID/(VGS-VTH)，即负载电流源的失配引发的运放输出平衡会跟着输出对管过驱动电压的增大而增大。
图2 电流镜负载运放
同时斟酌运放输出对管和负载电流镜晶体管的失配后，如图2所示运放的输出平衡电压可表现为式(3):
式(3)可知，在设想运放时，在给定电流下，应当使输出对管具备更小的过驱动电压，而使负载电流源晶体管具备更大的过驱动电压，以此取得更小的运放输出平衡。
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