电开东西、锂电掩护板保举MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管

KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由国际专一研发的优良MOS管厂家出产。KCX2704A是一款SGT工艺产物，是操纵LVMOS手艺出产的N沟道加强型功率MOSFET。改良的工艺和单位布局出格定制，以最小化导通电阻，供给优胜的开关机能。该装备普遍用于UPS和逆变器体系的电源办理等。

跟着手机快充、电动汽车、无刷机电和锂电池的鼓起，中压MOSFET的需要愈来愈大，中压功率器件起头兴旺成长，因其庞大的市场份额，国际外诸多厂商在响应的新手艺研发上不时加大投入。SGT MOSFET作为中MOSFET的代表，被作为开关器件普遍操纵于机电驱动体系、逆变器体系及电源办理体系，是焦点功率节制部件。

SGT MOSFET布局具备电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的根本上引入了程度耗尽，将器件电场由三角形散布转变为类似矩形散布，在接纳一样搀杂浓度的内涵资料规格环境下，器件能够取得更高的击穿电压。

较深的沟槽深度，能够操纵更多的硅体积来接收EAS能量，以是SGT在雪崩时能够做得更好，更能蒙受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源，机电节制，动力电池体系等操纵范畴中，SGT MOSFET共同进步前辈封装，很是有助于进步体系的效力和功率密度。

SGT手艺上风：

晋升功率密度

SGT布局绝对传统的Trench布局，沟槽发掘深度深3-5倍，能够横向操纵更多的内涵体积来禁止电压，明显降落了MOSFET器件的特色导通电阻（Specific Resistance），比方不异的封装形状PDFN5*6，接纳SGT芯片手艺，能够取得更低的导通电阻。

极低的开关消耗

SGT绝对传统Trench布局，具备低Qg 的特色。屏障栅布局的引入，能够降落MOSFET的米勒电容CGD达10倍以上，有助于降落器件在开关电源操纵中的开关消耗。别的，CGD/CGS的低比值也是今朝同步整流操纵中按捺shoot-through的关头目标，接纳SGT布局，能够取得更低的CGD/CGS比值。

更好的EMI上风

SGT MOS布局中的内置电阻电容缓冲布局，能够按捺DS电压关断时的瞬态振荡，开关电源操纵中，SGT布局中寄生的CD-shield和Rshield能够接收器件关断时dv/dt变更带来的尖峰和震动，进一步降落操纵危险。