操纵MOS管完成主副电源主动切换电路分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-09-23
先看一下这个电路：USB外接电源与锂电池主动切换电路设计
若是主副输入电压相称，同时请求输入也是一样的电压，不能有太大的压降，怎样设想？ 这个电路奇妙的操纵了MOS管导通的时辰低Rds的特征，比拟二极管的体例，在本钱节制较低的环境下，极大的进步了效力。
本电路完成了，当Vin1 = 3.3V时，不论Vin2有不电压，都由Vin1经由进程Q3输入电压，当Vin1断开的时辰，由Vin经由进程Q2输入电压。由于选用MOS管的Rds很是小，发生的压降差未几为数十mV，以是Vout根基即是Vin。 ;
1、若是Vin1 = 3.3V，NMOS Q1导通，以后拉低了PMOS Q3的栅极，而后Q1也起头导通，此时，Q2的栅极跟源极之间的电压为Q3的导通压降，该电压差未几为几十mV，是以Q2封闭，内部电源Vin2断开，Vout由Vin1供电，Vout = 3.3V。此时全部电路的静态功耗I1+I2 = 20uA。
2、此刻，Vin1断开了，Q1停止，Q2的栅极有R1的下拉，以是Q2导通，Q3的栅极经由进程R2上拉，以是Q3也停止，全部电路，Q1跟Q3停止，Vout由Vin2供电，Vout = 3.3V。此时下面电路I1跟I2的静态功耗不存在。
当存在主电源时，电路的静态功耗为20uA，不然，几近为零。以是电池适合在内部电源供电。 MOSFET Q1、Q2跟Q3应当挑选具备高压栅极和很是低的导通电阻特征。
比方：Q2 = Q3 = PMN50XP ，在V gs = 3.3V时R dsON为60mΩ。按照差别的环境挑选适合的MOSFET。
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