阐发MOS管开关对输入端电源的影响-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-09-22
MOS管做开关是一种经常利用的体例，在电路中比拟经常利用的是一个三极管加一个MOS管，或一个NMOS加一个PMOS。经常利用电路如图所示。本文阐发基于图2电路引发的MOS管做开关对输入端电源的影响。
图1 三极管加MOS管情势开关电路
图2 NMOS加PMOS情势开关电路
在利用图2做电源开关时，检测电源的波形发明，在开关导通的进程中对电源的输入端有一个电源下拉的景象。其利用环境为，输入电压为DC5V，输入DC5V，开关节制为LVTTL电平（3.3V）。其检测的环境以下所示。
MOS管缓冲电容对电源开关的影响
当不增添缓冲电容（图中C305，C302，C304，C303）的时辰，其对电源下拉到4.2V以下。其检测波形如图3所示；
当只增添前端缓冲电容（C302，C305）时其电源下拉环境较着改良，电源下拉到4.5V摆布，其检测波形如图4所示；
当只增添后端缓冲电容(C303，C304)时，其电源下拉环境也获得较着的改良，电源下拉到4.7V摆布，其波形如图5所示；
以后后端缓冲电容（C305，C302，C304，C303）都加上时，其电源下拉环境和只增添后端电容时，区分不大。
MOS管缓冲电阻对电源开关的影响
这里的缓冲电阻只测试了后端MOS管的缓冲电阻（R112）对电源守旧时的影响。其测试前提为图2种有后端缓冲电容的环境。
当缓冲电阻（R112）为1K时，厥后端电压回升时候为2.2ms，下拉影响在4.7V摆布，波形上有较着的下拉迹象，波形如所示；
当缓冲电阻（R112）为12K时，厥后端电压回升时候为19ms，下拉影响在4.8V摆布，波形上不有较着的下拉迹象，波形如所示；
题目道理阐发
MOS管做开关时对电源有一个固有的下拉景象，但能够经由进程节制MOS管的缓冲电阻、电容来转变MOS管的守旧时候，从而节制电源下拉的幅度和波形的陡峭水平。
找到一个MOS管的开关时候的波形图，能够撑持下面的推论。其图以下所示。
图8 MOS管开关时候测试电路与波形
其开关波形进程阐发以下所示：
当还没发下拉脉冲时，VGS=0，VDS=-VDD，此时MOS管关断；
当发送下拉脉冲时，VGS逐步减小，VDS逐步增添，此时MOS管守旧，不变时，VGS<0，VDS=0(PMOS的导通前提是VGS<0)；
MOS管做开关时，对电源下拉便是这个VDS回升与VGS降落形成的，，而下拉幅度便是满值到VDS与VGS的穿插点。
而在一个牢固的电路中，最后与终究的VGS、VDS值是牢固了的，咱们能转变的便是Td(on)与Tr值（即咱们能够经由进程里面的缓冲电阻与电容调理开关的导通时候）。当Td(on)与Tr值增大后，VGS与VDS的穿插点就响应往上抬了，则守旧时对电源的下拉幅度就会小一些。
用MOS管做开关时，对电源的下拉是一定有，但咱们能够调理其下拉的幅度，是以电路中建议预留处缓冲电容与电压的地位（按照本身须要保留其一个或全留）。
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