【逻辑电路】CMOS门电路图文分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-09-20
MOS管
电平较低的一端被以为是源极。衬底和地相连。
晶体管状况由Vg节制。
Vg为低电平--源极和漏极之间无毗连--晶体管断开--开关断开
Vg为高电平--源极和漏极之间相毗连--晶体管导通--开关闭合
电平较低的一端被以为是源极。衬底和Vdd相连。
晶体管状况由Vg节制。
Vg为低电平--源极和漏极之间无毗连--晶体管断开--开关断开
Vg为高电平--源极和漏极之间相毗连--晶体管导通--开关闭合
MOS管的漏极D和源极S作为开关两头接在电路中，开关通断受栅极G的电压节制。
CMOS门电路
便是将PMOS与NMOS组合起来的电路
电路布局
对输出旌旗灯号给定必然值，Vff要末被PDN下拉至0，要末被PUN下拉至VDD。
PDN和PUN中晶体管的数目不异，且两个收集成对支配。
若PDN中NMOS的晶体管串行毗连，则PUN中PMOS晶体管是并行毗连。反之亦然。
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