【图文详解】MOS管GS两头并联阻容-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-09-08
MOS管GS两头并联阻容感化
仿真阐发
如图所示MOS管驱动电路，定性阐发可知，当MOS管关断时，MOS管两头应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，能够致使Vgs到达Vgs(th)致使MOS管误导通。
图1 MOS管驱动等效电路
以MOS管IMZA65R048M1H为例
设此时应力Vds为600V，Cgs两头电压为
此时Vgs已到达，管子开启电压Vgs(th)
若是Cgs两头并接电阻R=10k
此时Vgs会渐渐降为0，Vds根基落在Cgd两头，可是仍是会有一个较高的电压尖峰，此时Cgs两头并联一个2.2nF的电容，此时能够发明电压尖峰只要2.2V摆布，能够有用避免MOS管的误导通。
论断：
Cgs两头并接阻容能够有用避免MOS管的误导通。
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