【集成电路】MOS管的亚阈值区-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-09-07
Vds与Vdsat的干系
Vds > Vdsat时，region变为2，为了保障PVT下电路仍处于饱和区，须要让Vds -Vdsat大于某个经历值。
作图步骤详见前文
在长沟道工艺（约莫是大于4um）中，Vdsat=Vov， 过驱动电压Vov=Vgs-Vth，当Vds > Vdsat时，MOS管的沟道夹断（pinch off），电流饱和。
但在进步前辈工艺中，Vdsat偏离了Vov，也便是小于Vov，这是由于速率饱和效应，Vds到达Vdsat而还不到达Vov时，电流就饱和了。此时，沟道还不夹断。
速率饱和效应：沟道场强
充足强时，多子漂移速率为
也便是速率到达饱和，为定值Vsat，平方律公式变为了一次的。
使管子任务在亚阈值区的目标：
不异电流下，亚阈值区的Vdsat小，gm小，等效输出噪声电压小，但同时W/L大，电容大。
Vgs<Vth约100mV，Vds>3VT【VT=0.026V】，是亚阈值区的饱和区，这时候分散电流为主。
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