MOS晶体管的源极与基底是等电位 n沟MOS晶体管加偏置电压会产生甚么状态
信息来历：本站 日期：2017-08-10
当源极-基底间加偏置时，阈值电压变更
在良多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其成果，使图1.31中基底（衬底或阱）与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向（或正向）偏置电压VSB时，MOS晶体管的阈值电压就会爆发变更。
现在会商图1. 32示出的n沟MOS晶体管加偏置电压(VSB>O)时的状态。
反向偏置电压VSB会使沟道下的耗尽层扩大。因为耗尽层的扩大，耗尽层的负电离子数增添，而沟道区的电子数量响应地削减，使得与多晶硅栅中的正电荷对峙平衡。因为沟道区电子数量的削减，导致沟道的厚度变薄。
为了使沟道规复到本来的厚度，必需加更大的栅极—源极间电压YGS。其成果，这个反向偏置电压Vs。导致了阈值电压的回升。
这类因为源极—基底间电压VSB导致阈值电压爆发变更的景象，称为衬底偏置效应(body effect)或背栅效应(back-gate effect)。
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