详解反激电源MOS管D-S电压波形发生缘由-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-09-05
反激电源MOS D-S之间电压波形发生的缘由?这是一个典范的题目,实质缘由便是功率级寄生电容、电感引发的谐振；题目实在应细化为:为甚么会有两次谐振,谐振发生的模子是如何的?
以下为反激式电源完成计划,该计划接纳低级侧稳压(PSR)手艺,
Q1导通时,变压器低级电感存储能量,输入续流二极管Dfly反向偏置,Cout输入能量给负载;
Q1关断时,变压器低级线圈开释能量,输入续流二极管正向偏置,向输入端供给电能;
开关电源发生振铃的首要缘由在于非抱负器件存在功率级寄生电容、电感。所谓谐振,即:在MOS管守旧、关断切换的进程中,寄生电感将能量通报给寄生电容停止充电,充电竣事后寄生电容又开释电能给寄生电感储能,如斯轮回来去。
发问图片中,有2次谐振,
第一次谐振
该谐振发生的时候点在MOS管关断的刹时,等效谐振电路以下:
Loop:初度级间的泄电感、低级励磁电感、功率MOSFET封装电感之和
Coss:MOS管寄生电容、线路寄生电容
第二次谐振
这是开关电源DCM形式独有的一个振铃景象,
此处你必须要领会开关电源电感以下两种形式:
CCM:持续导通形式,次级端反射电流在MOS通断,变压器线圈换相时代不会达到0;
DCM:断续导通形式,次级端反射电流在MOS通断,变压器线圈换相时代达到0。
在DCM形式下,当MOS管关断,且在次级反射电流耗损为0之前,次级线圈输入相位的电压高于现实输入电压;当反射电流耗损为0,即次级线圈电流耗损为0时,现实输入电压由输入电容供给,此时次级输入相位的电压即是0,在次级输入相位电压由高于输入电压到即是0的变更进程中,会呈现电压的衰减振荡,而该衰减振荡会耦合到低级线圈并加载在MOS与线圈毗连的开关节点处。
因为该谐振给MOS管的寄生电容充电,若MOS在此时导通,则能够碰着寄生电容电位被充到较高的时辰,此时寄生电容所充电的能量若被间接导到GND会形成MOS管的导通消耗,针对该题目,降生出了准谐振手艺,即:DCM形式下,低级侧MOS在开关节点谐振电压摆幅的谷底四周导通。
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