【推挽电路】三极管推挽电路 MOS管推挽电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-08-31
三极管推挽电路输入特色：Vout=Vin-0.3V（以下图所示）
这类输入体例跟三极管的特征分不开。
下文中的MOS管推挽电路将躲避这个题目：
触及常识：三极管导通特征须要斟酌压降，MOS管导通是不压降这个观点，只须要斟酌导通阻抗题目（Rds-on）
上N上N型推挽电路：以下图所示。Vout几近即是VCC（这类体例是轨对轨体例（rail-rail））
任务特征：普通任务在频次比拟高，功率比拟大的电路。
重点：此中任务体例与之前三极管推挽电路任务体例不异；但上管导通时须要斟酌自举电路设想。
上P上N型推挽电路：以下图所示。
MOS管导通前提：
P：Vgs<Vth
N：Vgs>Vth
以是，上P下N型推挽电路须要设想时序，体例上管和下管同时导通。
任务特征：普通任务绝对上N下N型推挽电路频次比拟低，功率比拟低的电路。（缘由是P管绝对N管开关速率慢，Rds-on绝对N管大一点）
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