12N65场效应管 12N65参数代换650V12A 12N65引脚-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-08-12
KIA12N65H N沟道加强型硅栅功率MOSFET设想用于高功率利用，诸如高效力开关形式电源的高速功率开关利用，有源功率因数校订，基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
RDS(on)= 0.63Ω @ VGS= 10 V
低栅极电荷（典范的52nc）
疾速开关才能
雪崩能量
改良dt／dt才能
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