5N60场效应管参数代换 5N60引脚图 5N60E参数4.5A600V-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-08-05
这些N沟道加强情势的功率场效应晶体管是用KIA半导体制作的专有、立体、DMOS手艺。这项进步前辈的手艺颠末了出格的调剂，以使其最小化通态电阻，供给优胜的开关机能，并蒙受高能量脉冲在雪崩和换向情势。这些器件很是合适于高效力的开关情势电源供给和电子灯镇流器的根本上的半桥。
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反应电容（典范值8.0pf）
低栅极电荷（典范值高= 16nc）
疾速切换
100%雪崩测试
改良的dt／dt才能
合适RoHS
产物编号：KIA 5N60
系列称号：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（持续）（id）：5
最高结温（Tj），℃：150
回升时候（tr）：42
输入电容（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
封装情势：TO-220、TO-220F等
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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