MOSFET利用-功率消耗轻易曲解的三个要点-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-08-03
在MOSFET的数据手册中极限值表格中的总功率消耗Ptot便是一个非常风趣的参数。说它风趣是由于有些时辰Ptot的数值看起来很强大，但它又不是决议MOSFET设想是不是可行的决议性参数。本文就来聊一聊对MOSFET的总功率消耗Ptot在利用进程中轻易被人曲解或疏忽的那些常识点。
曲解1：电路中MOSFET的功率小于限值表中的Ptot，Mosfet便是宁静的
下面的懂得是不对的。总功率消耗Ptot的定义是：在焊接衬底温度保持在25℃时，器件到达最大结点温度时所用的功率。能够用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot来抒发，节点温度才是终究的MOSFET是不是过热破坏的鉴定参数。
在现实利用中是很难保持焊接衬底温度Tmb一向为25℃的，以是Ptot切当地说应当是来表征元件热传导机能Rth_j-mb的黑白，或是最大结点温度凹凸的参数。
曲解2：对一个MOSFET元件，功率消耗Ptot的值便是牢固稳定的
实在从结点温度与功率消耗的公式就能够看出：热阻Rth和结点温度Tj是元件的固有属性，是稳定化的，跟着Tmb温度的下降，功率消耗Ptot的值就会下降。
下图即为数据手册中给出的“规范化的总功率消耗和焊接衬底温度的函数干系图”，举例申明：焊接衬底温度在0℃~25℃时，Ptot=101W(和极限值表格中分歧)，可是当焊接衬底Tmb的温度回升到100℃时，许可的Ptot=50.5W。
综上所述，功率消耗Ptot的值牢固稳定的的懂得是毛病的！
曲解3：MOSFET的功率=流过漏极和源极的电流* 漏极和源极间的导通阻抗
MOSFET分两种利用环境：常通状况和开关状况。常通状况时的功率消耗Ptot不只需斟酌流过漏极和源极的电流所产生的功率，还要斟酌用于栅极驱动流入的电流所产生的的功率。
以下图的LTspice的仿真中就明白地展现了常通状况下的计较公式。
开关状况时的功率只需再加入导通和封闭时的功率消耗便可。故上述的概念过于单方面，不够松散。
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