低电压规格趋势

现在曾很少有制作商推出新型号的高压VMOS（1000V以上），市场上的新品的电压规格底子上集合在500一600V水平。首要的启事是，低电压规格的VMOS，在功耗方面具备较着的上风，并且电压规格越低，这个上风越较着。电压规格低于100V今后，VMOS的低功耗上风的确是抉择性的。其次是IGBT的展开，能够适应150kHz硬开关的产物曾上市，并且IGBT在高电压规格和大功率规格方面有着较着的上风。

不过，在电压规格方而，（KIA）VMOS也不是完全不建立，丰要展开是新型半导体材料的利用，典范的例了是SiC，类似的展开也表现在IGBT方面。今朝合用化的利用是用基于肖特基势垒的肖特基二极管替换传统的体二极管，除有益于下降VMOS的续流功耗，首要的是，能够前进其抵抗“雪崩能量”的能力。对于雪崩能量的题目，相干的说明在本书的第3章。
一样从SiC材料受害的另有功率VFET，并且不范围于体二极管的产物也曾面世，电压规格可达1700V，只是今朝的产量和跟进的制作商未几，市场远景另有待观察。

SiC材料的利用，除在电压规格方面能够有所突破；在高压产物中也是大有可为，那便是较着前进器件的合用开关频次(图1. 48)。固然，新型半导体的利用，并不仪仪限于SiC，曾初步利用的新型半导体新材料另有GaN、GaAs等。

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