MOS管参数测试体例具体图文-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-07-12
沟槽式场效应管TrenchMOSFET是此刻比拟经常利用的金属-氧化物半导体场效应晶体管。因其具备低导通电阻、低栅泄电荷密度的特色，以是功率消耗低、开关速率快。且由于TrenchMOSFET为垂直布局器件，是以可进一步进步其沟道密度，削减芯片尺寸，使功率场效应管的SMD微型封装成为现实。
在手电机池掩护电路中，经常利用到两个场效应管共漏极利用的MOSFET，由于在手机掩护电路中，即要停止过充检测也要停止过放检测。
该类MOSFET内部电路布局以下图虚线内所示：
翻开该类MOS的规格书咱们会看到很多以下参数：
那末若何测试这些参数呢，上面请看测试手段！
注重：
下文中加粗字体为变量，需按照MOS规格书来肯定现实参数。
1、VSSS耐压
按下图毗连测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐步增添电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记实VSS1的电压。
按下图毗连测试电路，设置VGS=0V，VSS2从0V以0.1V步增，刹时增添电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记实VSS2的电压。
2、ISSS电流
按下图毗连测试电路，设置VSS=12V，VGS=0V，记实下ISSS。
3、VGS(th)开启电压
按下图毗连测试电路，设置VSS=6V，以0.1V同步增添VGS1的电压，直至ISS=1mA,记实下此时VGS1的电压，同理测试另外一FET的VGS2。
4、IGSS栅极泄电流
按下图毗连测试电路，设置VSS=0V，VGS1=±8V，记实下IGSS1，同理测试另外一FET的IGSS2。
5、RSS(on)内阻
按下图毗连测试电路，设置IS=6A，别离测试VGS即是4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V时，S1与S2两头的电压VS1S2，RSS（on）=VS1S2/6A。
6、VFSS二极管导通电压
按下图毗连测试电路，设置VGS2=4.5V，VGS1=0V，VS1S2=4.5V，IS1S2=6A，记实下测试的VFSS1。
同理，设置VGS1=4.5V，VGS2=0V，VS2S1=4.5V，IS2S1=6A，记实下测试的VFSS2。
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