NMOS开关电路测试图文分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-07-07
以NMOS为例，测试NMOS作为开关的电路设想。实验用的NOMS为RU75N08，其输入特征曲线为：
从输入特征曲线能够看出，只需Vgs大于停止电压4.5V，DS就能够导通了。测试时间接使Vgs=+12V，Vds=+48V，负载电流最大可达到50A。
为了便利单片机节制Vgs，可加一个三极管停止电压节制，加一个光耦停止电气断绝，经由过程单片机IO口电平凹凸来节制NOMS的通断。
测试电路以下：
IN接单片机IO口，IN为高电日常平凡，发光二极体经由过程电流而发光，光敏元件遭到光照后发生电流，光耦的NPN导通，PNP三极管Vb拉低，PNP导通，Vgs > 4.5V，NMOS导通，负载任务；
IN为低电压时，光耦不任务，PNP三极管Ve=Vb，PNP停止，Vgs = 0V，NMOS停止，负载不任务。
能够经由过程节制IN完成NMOS开关感化。
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