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驱动芯片和MOS管搭建大电流H桥机电驱动电路-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2022-07-07 

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驱动芯片和MOS管搭建大电流H桥机电驱动电路-KIA MOS管


用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建适合的H桥机电驱动电路实现对大电流机电的驱动节制。该机电驱动板有两个H桥电路,能够同时节制双路机电。可经由过程响应的节制旌旗灯号来节制机电的转速和正反转。


大电流H桥机电驱动电路道理图


大电流机电 H桥驱动电路


大电流机电 H桥驱动电路


PCB 3D图

大电流机电 H桥驱动电路


大电流H桥机电驱动电路详解

搭建H桥驱动电路普通都包含两个局部:半桥/全桥驱动芯片和MOS管。自行搭建的H桥驱动所能经由过程的电流几近由MOS管的导通漏极电流所决议。是以,挑选恰当的MOS管,便可设想出驱动大电流机电的H桥驱动电路。


NMOS管

在挑选MOS管搭建H桥时,首要需注重以下一些参数:

1.漏极电流(Id):该电流即限定了所能接入机电的最大电流(普通要挑选大于机电堵转时的电流,不然能够在机电堵转时销毁MOS管)。


2.栅源阈值电压/开启电压(Vth):该电压即MOS管翻开所需的最小电压,也将决议后续半桥驱动芯片的挑选和设想(即芯片栅极节制脚的输入电压)。


3.漏源导通电阻(Rds):该电阻是MOS管导通时,漏极和源极之间的消耗内阻,将会决议机电动弹时,MOS管上的发烧量,是以普通越小越好。


4.最大漏源电压(Vds):该电压是MOS管漏源之间所能蒙受的最大电压,必须大于加在H桥上的机电驱动电压。


半桥驱动芯片

在H桥驱动电路中,一共须要4个MOS管。而这四个MOS管的导通与停止则须要特地的芯片来停止节制,即要半桥/全桥驱动芯片。


所谓半桥驱动芯片,便是一块驱动芯片只能用于节制H桥一侧的2个MOS管(1个高端MOS和1个低端MOS)。是以接纳半桥驱动芯片时,须要两块该芯片能力节制一个完全的H桥。


响应的,全桥驱动芯片便是能够间接节制4个MOS管的导通与停止,一块该芯片便能实现一个完全H桥的节制。



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