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用PMOS完成LED恒流驱动芯片的通断节制-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2022-06-24 

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用PMOS完成LED恒流驱动芯片的通断节制-KIA MOS管


MOS管 驱动 通断节制

电路道理:

1、QX7135E33为330mA线性LED恒流驱动芯片,无使能端。

2、操纵PMOS节制QX7135的电源通断,完成使能功效。


道理申明:

1、节制电源开关的输入旌旗灯号 Control 为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+5V_OUT 无输入。


电阻R4是为了在 Control 为高阻时,将三极管Q2的基极牢固在低电平,不让其浮空。


带软开启功效的MOS管电源开关电路

MOS管 驱动 通断节制


2、当电源 +5V_IN 刚上电时,请求节制电源开关的输入旌旗灯号 Control 为低电平或高阻,即封闭三极管Q2,从而封闭MOS管Q1。因 +5V_IN 还不不变,不能将电源翻开向后级电路输入。


此时等效电路图以下。

MOS管 驱动 通断节制


此时电源 +5V_IN 刚上电,使MOS管G极与S极等电势,即Vgs = 0,令Q1封闭。


3、电源 +5V_IN 上电完成后,MOS管G极与S极两头均为5V,依然Vgs = 0。


4、此时将 Control 设为高电平(假定高电平为3.3V),则:

MOS管 驱动 通断节制


①三极管Q2的基极其0.7V,可算出基极电流Ibe为:

(3.3V - 0.7V) / 基极电阻R3 = 0.26mA


②三级管Q2饱和导通,Vce ≈ 0。电容C1经由进程电阻R2充电,即C1与G极相连真个电压由5V迟缓降落到0V,致使Vgs电压逐步增大。


③MOS管Q1的Vgs迟缓增大,令其迟缓翻开直至完整翻开。终究Vgs = -5V。


④操纵电容C1的充电时候完成了MOS管Q1的迟缓翻开(导通),完成了软开启的功效。


MOS管翻开时的电流流向以下图所示:

MOS管 驱动 通断节制


5、电源翻开后,+5V_OUT 输入为5V电压。此时将 Control 设为低电平,三极管Q2封闭,电容C1与G极相连端经由进程电阻R2放电,电压逐步回升到5V,起到软封闭的结果。


软封闭普通不是咱们想要的,过慢地封闭电源,能够呈现体系不不变等非常。进程以下图。


MOS管 驱动 通断节制


普通环境下仍是安心利用软启动功效,陪同而来的软封闭结果普通没甚么影响。


电路参数设定申明:

调剂C1、R2的值,能够点窜软启动的时候。值增大,则时候变长。反之亦然。



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