【负载开关】PMOS开关电路图分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-06-16
负载开关电路平常利用比拟普遍，首要用来节制后级负载的电源开关。此功效能够间接用IC也能够用分立器件搭建，分立器件首要用PMOS加三极管完成。
以下图所示R5摹拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的鼓励源为高电平常平凡，Q2饱和导通，MOS管Q1的VGS<VGSth导通，R5负载上电，关断时负载下电。
电路中R3为三极管Q2的限流电阻，R4为偏置电阻，R1R2为Q1的栅极分压电阻，C1C2为输入滤波电容。
当Q1导通上电刹时电容两头电压不能渐变会呈现很高的打击电流。此电流很能够会破坏MOS管或触发前级电源的过流掩护，以是此打击电流并不是咱们想要的。接上去给R3端口加单脉冲鼓励源，察看Q1(D)处的打击电流。
经由进程仿真察看电流记实数据图表发明Q1(D)处的电流峰值为约20A，稳态电流为1A。峰值较大给电路形成很大压力，接上去咱们要想方法将此打击电流降上去，保证电路的宁静。
MOS的能够等效成下图右边的电路模子，
输入电容Ciss=Cgs+Cgd，
输入电容Coss=Cgd+Cds，
反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。
从MOS的启动波形能够看出MOS管开启进程首要受Cgs和Cgd配合影响。若是耽误开启进程首要是耽误t1—t2阶段和t2—t3阶段，在负载肯定的环境下首要是增大Cgs和Cgd等效电容来完成。
在原有电路中加入C3和C4 100nF电容
仿真得出启动时电流波形为，此中红线为Q1的Vgs波形绿线为C4(1)测到的启动电流波形。
较着对照之前不加C3、C4电容时启动打击电流波形峰值降落，守旧时候变长，并且尖峰后移。
调剂C3和C4的值为1000nf时，结果加倍较着。
尝试论断
尝试得出增添MOS的Cgs和Cgd可完成守旧缓启动功效，掩护MOS不遭到打击破坏。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
