【MOS管驱动电路图】机电搅扰与防护处置-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-06-14
此电路分主电路(实现功效)和掩护功效电路：
MOS管驱动相干常识：
1、跟双极性晶体管比拟,普通以为使MOS管导通不须要电流,只需GS电压(Vbe近似)高于必然的值,就能够了。
MOS管和晶体管向比拟 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s （源）。
2、NMOS的特征,Vgs大于必然的值就会导通,合适用于源极接地时的环境(低端驱动),
只需栅极电压到达4V或10V就能够了。
3、PMOS的特征,Vgs小于必然的值就会导通,合适用于源极接VCC时的环境(高端驱动)，
4、 双极型管是电流节制器件（经由过程基极较小的电流节制较大的集电极电流），MOS管是电压节制器件（经由过程栅极电压节制源漏间导通电阻）。
图为开路漏极：漏极一成不变地接负载，叫开路漏极。
电压节制器件，不须要管箭头是甚么标的目的。只需Vgs>必然值时，管子导通，负载有电流。
主功效电路
PWM旌旗灯号-MOS管-机电-VIN-地
其余元件构成的电路便是掩护电路
主功效:
PWM_LEFT给个高电平旌旗灯号，MOS管就导通，机电动弹。另有PWM_RIGHT(高右转)，PWM_DOWN(高降落)，PWM_UP（高回升）,都是在此处给个高旌旗灯号机电就扭转。
掩护功效:
这个图里除主功效电路其余元件都是为了掩护MOS管。
1、比方接的R4,R5,R12,R1(10K)电阻，因为MOS管3个极与极之间存在结电容，当MOS管关断的一刹时，MOS管的GS结电容就经由过程这4个电阻放电，从而掩护MOS管，日常平凡因为电阻大，经由过程这4个电阻的电流很小，相称于断开。
2、若是不接二极管，当关断MOS管的时辰，机电外面有线圈，会给MOS的DS极间一个很高刹时电压，能够会击穿MOS管。
当接了二极管，MOS关断的一刹时，机电能经由过程二极管构成一个回路，发生续流的结果，从而掩护了MOS管。
3、接电容，便是干电容改做的任务，滤波，抗搅扰这些。
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