MOS管RC缓冲电路参数计较详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-06-09
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的堆叠引发的消耗是开关电源消耗的首要局部，同时，因为电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会呈现过电压并且发生振荡。
若是尖峰电压太高，就会破坏开关管。同时，振荡的存在也会使输入纹波增大。为了降落关断消耗和尖峰电压，须要在开关管两头并联缓冲电路以改良电路的机能。
缓冲电路的首要感化有：一是削减导通或关断消耗；二是降落电压或电流尖峰；三是降落dV/dt或dI/dt。因为MOSFET管的电流降落速率很快，以是它的关断消耗很小。
固然MOSFET管仍然利用关断缓冲电路，但它的感化不是削减关断消耗，而是降落变压器漏感尖峰电压。
为了降落开关节点发生的尖峰电压，可斟酌增添RC缓冲电路。鄙人面的示例中，整流二极管关断（高边开关导通）时，RC缓冲电路可将二极管的接合部、寄生电感、寄生电容、PCB幅员的电感中积储的电荷放电，并经由过程电阻转换为热，从而降落尖峰电压。
RC的值普通以R=2Ω、C=470pF摆布为动身点，经由过程现实确认来找出最好值。
须要注重的是，增添缓冲电路会致使开关转换变慢，效力降落，以是须要切磋噪声程度和效力之间的均衡点。
别的，条件是电阻将噪声电压转换为热，以是须要注重电阻的允许消耗。电阻的消耗可经由过程以下公式计较出来。
消耗＝C×VIN2×fSW
缓冲电路不只可用于低边侧，在高边侧也常常利用。
1.测试原始振铃旌旗灯号
先把RC都不接，测一下过冲电压的谐振频次
测的是35M
2.计较电容值
把R用0Ω电阻短接掉，焊接一个100pf的电容上去(这个电容必须是C0G材质)，而后不时增添电容的值，直到谐振频次降落为本来的0.5倍摆布，这时辰辰候寄生的电容是你加的电容的1/3；
以下图是加了330pf后，频次恰好为17.5M，寄生电容大要为110pf，那末咱们这时辰辰候便能够算C的值，C的值大要取4倍寄生电容的值便能够，以是能够选440pf四周的；
固然这个电容值不必然按四倍来选，能够按3~9倍来选，电容越大消耗越高，接收结果越好。
3.计较寄生电感
因为f=1/2pispr(L*C)，下面已获得寄生电感为110pf，f为35M
可得L为0.118uf
4.计较特点阻抗
因为z=sqr(L/C)
可得：
z为41
5.得出电阻值
咱们RC的电阻便能够选41Ω四周的电阻，比41Ω略微大一点便可。
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