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【集成电路设想】MOS管的fT频次阐发-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2022-06-08 

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【集成电路设想】MOS管的fT频次阐发-KIA MOS管


MOSFET fT频次阐发

MOSFET的电流增益特点频次fT,用于表征MOSFET的电流缩小的最高任务频次。


MOSFET fT 频次


fT界说

在MOS源极和漏极接交换地时,器件的小旌旗灯号电流增益降至1的频次称为:“transit frequency”(fT)


fT计较

MOS的小旌旗灯号模子以下:

MOSFET fT 频次


MOSFET fT 频次


MOSFET fT 频次


MOSFET fT 频次


影响身分:

1) 增大Vgs能够增大FT

2) 减小沟道L会增大FT,以是利用工艺尺寸更小的MOS管,能够取得更高的任务频次。

3) 增大偏置电流能够增大FT(FT:∝电流的平方根)


MOSFET fT 频次


4) FT跟着过驱动电压而增添,但跟着垂直电场加强到必然水平,会致使迁徙率较着逐步减小,而使FT-Vod曲线变平,不再是线性直线。



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