【图文】晋升MOS管驱动电路抗搅扰机能-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-06-01
抗搅扰才能对MOS管驱动电路是一个首要目标，MOS管不是任务在一个抱负的不任何电磁搅扰的环境，在一些电磁环境卑劣的前提下，若是咱们的驱动电路设想的不尽公道，能够会呈现MOS管误翻开或非受控关断，轻则影响机能，重则会对用户构成危险。
对MOS管驱动电路而言，这类环境的产生普通是因为gate-source寄生米勒电容的非普通充放电致使的，而影响身分首要是gate极等效串连电阻，寄生电感，寄生电容等身分，以是咱们首要针对这三方面停止针对性电路设想来晋升电路的抗搅扰才能。
1.栅极串连电阻下降源极寄生电劝化致的振荡
咱们在现实调试MOS管驱动电路时，若是大师用示波器测一下MOS管gate极的波形，就会发明MOS管每次翻开时，其栅极波形会呈现近似于正弦波的阻尼振荡，这不只使得MOS开关不不变，下降其抗搅扰才能，也会增大开关耗损，那末为甚么会呈现？若何处理呢？
MOS开/关振荡
现实的MOS模子大师能够参考下图，抱负的MOS不Rgt，Lgt，和Cgs等，可是现实的MOS这些都有，此时你会发明，Rgt+Lgt+Cgs那不就成了典范的RLC振荡电路么，没错便是如许；
以是当咱们给高电平想开启MOS的时辰，就会呈现振铃波，一样咱们给低电平想封闭MOS时也是一样，都是电容电感的充放电在作妖。
懂得了缘由，那末若何处理这一题目呢？
处理题目的关头便是Rgt电阻，因为对RLC振荡电路而言，Rgt是耗能器件，每次振荡，它城市耗损能量，从而削弱下一次的振荡幅值，这也是现实的波形峰值愈来愈低的缘由；
固然Rgt是MOS内部的寄生电阻，其阻值很小，以是咱们普通须要内部在串连一个电阻，串连电阻的阻值计较公式以下，此中Rdv是内部PCB收集走线寄生电阻，电阻大了能减缓电压过冲的题目，可是也不是越大越好，因为太大了又会致使MOS开启速率过慢，以是须要综合斟酌。
2.栅源并联电阻晋升抗dv/dt搅扰才能
当dv/dt过大时，能够会使得MOS误翻开，这是因为流过Cgd电容的电流在G极构成正压，从而引发MOS误翻开，凡是经由过程在器件的栅极和源极度子间插手一个电阻器来供给掩护，电阻的计较公式参考上面；
按照公式能够看出来，要想计较咱们须要多大的并联电阻，还须要清晰咱们的电路最差的dv/dt是几多，这个就须要现实测试了。
本文首要讲授了晋升MOS管驱动电路抗搅扰才能的体例和计较体例。
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