【电路阐发】MOSFET的门源极并联电容-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-05-30
MOSFET门源极并联电容后，开关靠得住性获得晋升
开关电路以下图：
电路诠释
1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 收集拉低到地时，开关Q1导通；
2.电路中D3感化为钳位Q1门源电压在12V摆布，以掩护Q1；
3.C2感化为滤除MOS_ON上的搅扰和延缓Q1高低电时候，以下图：别离为增加电容和不增加电容Q1门极电压变更环境。
论断：经由过程在开关g s 并联电容，能够有用晋升开关mosfet抗搅扰才能，特别在mosfet须要经由过程内部按键使能的利用，别的并联的电容能够有用滤除因为节制发抖致使的电源开关关断。
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