米勒效应对MOSFET开关进程有甚么影响？-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-05-30
下面以图10中机电节制电路来申明米勒效应对MOSFET守旧关断进程的影响。
在图10节制电路中，上管导通时，VDD经由进程Q1、Q4对机电停止励磁；上管关断时，机电经由进程Q4、Q3停止去磁。在全部任务进程中，Q4一向坚持守旧，Q1, Q2瓜代守旧来对机电转子停止励磁和去磁。
图10. 机电节制电路
图11，图12是高低管守旧关断时驱动电压测试波形。能够清晰的看到，在上管守旧和关断时，下管栅极上会发生一个尖峰，尖峰的电压增添了高低管同时导通的危险，严峻时会构成很是大的电流同时流过高低管，破坏器件。
图11. 上管守旧下管关断时的测试波形
图12. 上管关断上管守旧时的测试波形
下管守旧关断呈现的这类波形是由漏栅电容致使的寄生守旧景象（如图13所示）。鄙人管关断后，上管米勒平台竣事时，桥臂中点电压由0升到VDD，MOSFET的源极和漏极之间发生峻峭的的dV/dt。
由此在漏栅电容发生的电流会流到栅极，经栅极电阻到地，如许就会在栅极电阻上发生的电压降。这类环境，就会能够发生高低管同时导通，破坏器件。
图13. MOSFET寄生守旧机制
下管的这个Vgs尖峰电压（也有公司称之为Vgs bouncing）能够抒发为：
Rgoff驱动关断电阻，Rg,ls(int)为MOSFET栅极固有电阻，Rdrv为驱动IC的电阻。从公式（1）能够看到，该电压与Rgtot和Cgd呈正向相干。
以是处理这个题目有两类体例：
1. 减小Rgtot。由公式（2）晓得，Rg,ls(int)由器件自身决议，Rdrv由驱动IC决议，以是普通是挑选适合的Rg来均衡该Vgs bouncing电压。
2. 挑选Crss/Ciss（即Cgd/Cgs）低的MOSFET有助于下降Vgs尖峰电压值。或在MOSFET栅源之间并上一个电容，也会接收dV/dt发生的漏删电流。
图15是鄙人管的GS两头并联5.5nF电容后的开关波形，能够看到电压较着下降，由图11中的3.1V下降到1.7V，大大下降了高低管贯穿的危险。
图15. 下管GS并上5.5nF电容的波形
同理，上管关断至米勒平台竣事时，下管守旧前，桥臂中点电压由VDD降为0，MOSFET的源极和漏极之间发生峻峭的的dV/dt。由此就会在栅极下面发生一个负压。
同时，由图11，图12，能够察看到，下管守旧关断进程中，都不呈现米勒平台景象。这是因为在其守旧关断时，因为Motor中的电流颠末下管的体二极管续流，DS两头电压很小，以是米勒平台也就构成不明晰。
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