【MOSFET生效形式】甚么是dv/dt生效？-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-05-27
dv/dt生效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引发短路从而形成生效的景象。
dv/dt是单元时候内的电压变更量，vDS的回升坡度越陡，越轻易产生MOSFET的dv/dt生效题目。
普通来讲，反向规复特征越差，dv/dt的坡度越陡，越轻易产生MOSFET的dv/dt生效。
以下图（2）所示，dv/dt生效是因为MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，致使寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差vBE，使寄生双极晶体管导通，引发短路并形成生效的景象。
凡是，dv/dt越大（越陡），vBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越轻易导通，从而越轻易产生生效题目。
MOSFET的dv/dt生效电流途径表现图（蓝色局部）
另外，在逆变器电路或Totem-Pole PFC等高低桥布局的电路中，反向规复电流Irr会流过MOSFET。受该反向规复电流影响的dv/dt，能够会使寄生双极晶体管误导通，这一点须要注重。
dv/dt生效与反向规复特征之间的干系能够经由过程双脉冲测试来确认。
双脉冲测试的电路简图以下：
双脉冲测试的电路简图
dv/dt和反向规复电流的仿真成果以下图所示。设MOSFET①～③的栅极电阻RG和电源电压vDD等电路前提不异，仅反向规复特征差别。
图中列出了Q1从续流任务转换到反向规复任务时的漏源电压vDS和漏极电流（外部二极管电流）ID。
双脉冲测试的仿真成果
普通环境下，与MOSFET①比拟，MOSFET③能够说是“反向规复特征较差（Irr和trr大）”的产物。从这个仿真成果能够看出，反向规复特征越差，dv/dt的坡度就越峻峭。
这一点经由过程流经电容器的瞬态电流凡是用I=C×dv/dt来表现也能够懂得。另外，在上述仿真中，Irr的斜率（di/dt）均设置为不异前提，但当di/dt峻峭时，dv/dt也会变峻峭。
综上所述，能够说，在桥式电路中利用MOSFET时，反向规复特征越差的MOSFET，产生MOSFET的dv/dt生效危险越大。
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