双脉冲测试电路道理及波形表示图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-05-26
功率器件的良多静态参数能够从器件的数据手册中获得，可是器件手册只给出特定测试前提下的静态参数。当功率回路电压和电流、驱动回路的电压、电阻和内部电容等参数变更时，器件的开关时候也将发生变更，是以在设想时有须要对器件的特定工况停止双脉冲测试，获得加倍实在的机能。
双脉冲测试有以下感化：
(1) 对照差别产物的参数；
(2) 评价驱动电路的功效和机能；
(3) 获得 SiC MOSFET 在守旧和关断进程中的首要参数，以评价栅极电阻取值是不是适合；
(4) 守旧和关断进程是不是有不适合的振荡；
(5) 评价二极管的反向规复特征和宁静裕量；
(6) 测试 SiC MOSFET 的电压尖峰；
(7) 评价 SiC MOSFET 并联均流特征；
(8) 丈量母排的杂散电感。
此中 RG,int为内部栅极电阻，RG,ext为内部栅极电阻，CGS栅极-源极电容，CGD为栅极-漏极电容，CDS为漏极-源极电容，LG、LD和 LS别离为栅极、漏极和源极的引线电感，CD1为续流二极管结电容，Lloop为功率主回路寄生电感，L 为负载电感。
在第一个脉冲旌旗灯号到临之前，电感电流为 0，SiC MOSFET 阻断并蒙受直流母线电压。直到 t1时辰，器件起头导通，电感电流根据式纪律变更，即随时候按线性纪律增添。
式中 VDS(on)---SiC MOSFET 导通压降；
t2 时辰，开关管起头关断并换流至二极管 D1，流经开关管的电流变为 0，负载电感的电流颠末二极管 D1续流。
因为续流阶段电流回路存在必然的电阻，电流将会有必然水平的减小，但此阶段极短，并且寄生电阻量很小，是以电流减小量能够疏忽，类似以为 t2和 t3时辰电流相称。
t3 时辰，第二个脉冲旌旗灯号使开关管守旧，续流二极管起头关断，电感电流换流至开关管并持续根据线性纪律增添。
t4 时辰，开关管再次关断，电流从开关管换流至续流二极管 D1，双脉冲测试竣事。
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