图文分享-领会MOSFET元器件的特征-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-05-05
1. 功率消耗
MOSFET 的功率消耗首要受限于 MOSFET 的结温，根基准绳便是任何环境下，结温不能跨越规格书里界说的最高温度。而结温是由环境温度和 MOSFET 本身的功耗决议的。
下图是典范的功率消耗与 MOSFET 外表结温（Case temp.）的曲线图。
普通 MOSFET 的规格书外面会界说两个功率消耗参数，一个是归算到芯片外表的功率消耗，另外一个是归算到环境温度的功率消耗。
这两个参数能够经由过程以下两个公式取得，重点夸大一点，与功耗温度曲线紧密亲密相干的首要参数热阻，是材料和尺寸或外表积的函数。跟着结温的下降，许可的功耗会随之下降。
按照最大结暖和热阻，能够推算出 MOSFET 能够许可的最大功耗。
归算到环境温度的热阻是布板，散热片和散热面积的函数，若是散热前提杰出，能够极大晋升 MOSFET 的功耗水平。
2. 漏极（沟道）电流
规格书中会界说最大延续漏极电流和最大脉冲电流，以下图。
普通规格书中最大脉冲电流会界说在最大延续电流的 4 倍，并且跟着脉冲宽度的增添，最大脉冲电流会随之削减，首要缘由便是 MOSFET 的温度特征，这一点能够从以后讲到的宁静任务区图形中清晰看到。
抱负环境下，现实上最大延续电流只依靠于最大功耗，此时最大延续电流能够经由过程功率公式（P=I^2 R）推算出。
以下式：
可是现实中，其余前提会限定现实上计较出来的最大延续电流，比方铜线直径，芯片工艺与组装水平等。比方上式入彀较的最大延续电流为 169A，可是斟酌到其余束缚前提，现实只能到达 100A。以是制作商的工艺水平某种水平上决议了设想余量，着名厂商常常刚强就在于此。
下图便是现实的延续电流与结温的干系曲线图，脉冲电流是由宁静任务区决议的。
3. 宁静任务区
宁静任务区能够说是 MOSFET 最首要的数据，也是设想者最首要的设想参考。
下图是典范的宁静任务区图形。
由上图可知，MOSFET 的 SOA 现实上有 5 条限定线，这 5 条限定线决议了 SOA 的地区。
细节以下图：
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