开关电源中几种过流掩护体例阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-04-29
电源作为统统电子产物的供电装备，除机能要知足供电产物的请求外，其本身的掩护办法也很是主要，如过压、过流、过热掩护等。
一旦电子产物呈现毛病时，如电子产物输入侧短路或输入侧开路时，则电源必须封闭其输入电压，能力掩护功率MOSFET和输入侧装备等不被销毁，不然可以或许引发电子产物的进一步破坏，乃至引发操纵职员的触电及火警等景象，是以，开关电源的过流掩护功效必然要完美。
过电流掩护有多种情势，如图1所示，可分为额外电流下垂型，即フ字型；恒流型；恒功率型，大都为电流下垂型。过电流的设定值凡是为额外电流的110％～130％。普通为主动规复型。
图1中①表现电流下垂型，②表现恒流型，③表现恒功率型。
用于变压器低级间接驱动电路中的限流电路
在变压器低级间接驱动的电路（如单规矩激式变更器或反激式变更器）的设想中，完成限流是比拟轻易的。图2是在如许的电路中完成限流的两种体例。
图2电路可用于单规矩激式变更器和反激式变更器。图2（a）与图2（b）中在MOSFET的源极均串入一个限流电阻Rsc，在图2（a）中， Rsc供给一个电压降驱动晶体管S2导通，在图2（b）中跨接在Rsc上的限流电压比拟器，当产生过流时，可以或许把驱动电流脉冲短路，起到掩护感化。
图2（a）与图2（b）比拟，图2（b）掩护电路反映速率更快及切确。起首，它把比拟缩小器的限流驱动的门坎电压预置在一个比晶体管的门坎电压Vbe更 切确的规模内；
第二，它把所预置的门坎电压获得充足小，其典范值只要100mV～200mV，是以，可以或许把限流取样电阻Rsc的值获得较小，如许就减小了 功耗，进步了电源的效力。
图2 在单规矩激式或反激式变更器电路中的限流电路
当AC输入电压在90～264V规模内变更，且输入划一功率时，则变压器低级的尖峰电流相差很大，致使高、低端过流掩护点严峻漂移，倒霉于过流点的分歧性。
在电路中增添一个取自＋VH的上拉电阻R1，其目标是使S2的基极或限流比拟器的同相端有一个预值，以到达凹凸真个过流掩护点尽可能分歧。
用于基极驱动电路的限流电路
在普通环境下，都是操纵基极驱动电路把电源的节制电路和开关晶体管断绝开来。变更器的输入局部和节制电路共地。限流电路可以或许间接和输入电路相接，其电路如图3所示。在图3中，节制电路与输入电路共地。
任务道理以下：
电路一般任务时，负载电流IL流过电阻Rsc产生的压降缺乏以使S1导通，因为S1在停止时IC1=0， 电容器C1处于未充电状况，是以晶体管S2也停止。
若是负载侧电流增添，使IL到达一个设定的值，使得ILRsc=Vbe1＋Ib1R1，则S1导通，使 电容器C1充电，其充电时候常数τ= R2C1，C1上布满电荷后的电压是VC1=Ib2R4＋Vbe2。在电路检测到有过流产生时，为使电容器C1可以或许疾速放电，该当挑选R4。
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