双P沟道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V参数 SOP-8 原厂送样-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-04-27
这类双P沟道MOSFET是KIA进步前辈的P沟道工艺的一个坚忍的栅极版本。它已针对须要大规模给定驱动电压的电源办理利用停止了优化。额外值（4.5 V–20 V）。
KIA半导体设想出产的碳化硅二极管具备较短的规复时候、温度对开关行动的影响较小、规范任务温度规模为-55℃到175℃，大大下降散热器的需要。碳化硅二极管的首要上风在于它具备超快的开关速率且无反向规复电流，与硅器件比拟，它可以或许大大下降开关消耗并完成出色的能效。更快的开关速率同时也能让制作商减小产物电磁线圈和相干无源组件的尺寸，从而进步组装效力，加重体系分量，并下降物料（BOM）本钱。
-30V/-5.3A,RDS(on)=54mΩ(typ)(Vgs=-10V)
RDS(on)=84mΩ(Vgs=-4.5V)
高压充放电（6Nctypical）
高功率和电流的才能
疾速切换速率
任务体例：-5.3A/-30V
漏源极电压：-30V
栅源电压:±20V
最大泄电留连续：-5.3A
最大脉冲泄电流:-20A
毗连和贮存温度规模:-55℃至150℃
漏源击穿电压：-30V
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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