MOS管开关电路图文阐发【保藏】-KIA MOS管

MOS管开关电路图一

图中电池的正电经由过程开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，因为Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极经由过程R20电阻供应一个正电位电压，以是不能通电，电压不能持续经由过程，3v稳压IC输入脚得不到电压以是就不能任务不开机。

这时辰候，若是咱们按下SW1开机按键时，正电经由过程按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极获得一个正电位，三极管导通，因为三极管的发射极间接接地，三极管Q2导通就相称于Q1的栅极间接接地，加在它下面的经由过程R20电阻的电压就间接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC便是阿谁U1输入3v的任务电压vcc供应主控，主控经由过程复位清0，读取固件法式检测等一系列举措，

输处一个节制电压到PWR_ON再经由过程R24、R13分压送到Q2的基极，坚持Q2一向处于导通状况，即便你松开开机键断开Q1的基极电压，这时辰候候有主控送来的节制电压坚持着，Q2也就一向可以或许处于导通状况，Q1就可以源源不时的给3v稳压IC供应任务电压。

SW1还同时经由过程R11、R30两个电阻的分压，给主控PLAYON脚送去时候是非、次数差别的节制旌旗灯号，主控经由过程固件辨别是播放、停息、开机、关机而输入差别的成果给响应的节制点，以到达差别的任务状况。

MOS管开关电路图二

下图是两种MOS管的典范利用：此中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接前面电路的接地端；第二种为PMOS管典范开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接前面电路的VCC端。

MOS管开关电路图三

驱动电路加快MOS管关断时候

图5 断绝驱动

为了知足如图5所示高端MOS管的驱动，常常会接纳变压器驱动，偶然为了知足宁静断绝也利用变压器驱动。此中R1目标是按捺PCB板上寄生的电感与C1构成LC振荡，C1的目标是离隔直流，经由过程交换，同时也能避免磁芯饱和。

MOS管开关电路图四

图7（a）为经常使用的小功率驱动电路，简略靠得住本钱低。合用于不请求断绝的小功率开关装备。图7（b）所示驱动电路开关速率很快，驱动才能强，为避免两个MOSFET管纵贯，凡是串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路合用于不请求断绝的中功率开关装备。这两种电路特色是布局简略。

功率MOSFET属于电压型节制器件，只需栅极和源极之间施加的电压跨越其阀值电压就会导通。因为MOSFET存在结电容，关断时其漏源两头电压的俄然回升将会经由过程结电容在栅源两头发生搅扰电压。

经常使用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速率较快，但它不能供应负压，故抗搅扰性较差。为了进步电路的抗搅扰性，可在此种驱动电路的根本上增添一级有V1、V2、R构成的电路，发生一个负压，电路道理图如图8所示。

当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断;反之V1关断时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。

因为高低两个管子的栅、源极经由过程差别的回路充放电，包罗有V2的回路，因为V2会不时加入饱和直相当断，以是对S1而言导通比关断要慢，对S2而言导通比关断要快，以是两管发烧水平也不完整一样，S1比S2发烧严峻。

该驱动电路的错误谬误是须要双电源，且因为R的取值不能过大，不然会使V1深度饱和，影响关断速率，以是R上会有一定的消耗。

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