开关电源RCD钳位电路任务进程详解-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2022-04-18
反激式开关电源的RCD钳位电路由电阻R1、电容C1和二极管D1构成,以下图,此中:Lk为变压器的漏感,Lp为变压器原边绕组电感、Cds为Q1的寄生电容、T1为变压器、Q1是开关管、D2是输出整流二极管,E1是输出滤波电容。
变压器漏感Lk与原边电感Lp串连,原边电感Lp与变压器T1并联。原边电感Lp的能量可经由进程抱负变压器T1耦合至副边,给后端负载供给能量。但变压器漏感Lk的能量没法耦合至副边,只能经由进程寄生电容开释能量,引发的尖峰电压,能够经由进程电阻R1接收回路接收能量。
1、任务道理
为了简化,其余的元器件已去掉,任务进程:Vin是整流以后的直流脉动电压,当开关管Q1关断时,漏极电流敏捷降落,变压器原边电流给Cds充电,D1导通。由于C1容值弘远于Cds,以是Lk开释的能量首要给C1充电。
由于电容电压具备不能渐变的特征,且电容值越大电压变更率越小,是以C1的存在,降落了开关管漏源电压尖峰值,减小了开关管电压变更率,电源的EMI也就较好。
当绕组中的电流反向时,D1停止,C1充电竣事,此时C1经由进程R1放电,C1接收的漏感能量经由进程R1来耗损。
2、Uds关头波形阐发
1)下图是开关管Q1的Vds电压跟着时辰变更的波形图,t1时辰前也便是纵坐标为零时辰,Q1导通,由于变压器原边电感较大,且电感两头电压与电流变更率成反比,是以流经漏感电流线性回升,到t1时辰,Q1断开;
2)t1至t2时辰时,由于变压器原边电感的感化,流经变压器的原边电流根基不变,且此时RCD钳位电路中的二极管关断,输出电路的二极管D2反向停止。这一阶段能够以为是变压器的原边电流对Q1的寄生电容Cds恒流充电。
而在此时电容C1向R1迟缓放电,当漏极电压大于整流后的输出电压与变压器副边的反应电压之和后,变压器原边的能量耦合到副边,并经整流二极管D2整流,和E1电容滤波以后起头向负载供给能量。
3)t2时辰后,ds大于输出电压与C1此时的两头电压之和,二极管D1导通,流经D1的电流急剧回升,同时钳位电容C1不时充电,直至t3时辰变压器原边电流降落为零时,二极管D1再次关断,此时漏极电压升至最大值。
4)t3时辰后由于寄生电容Cds两头电压大于输出电压,将有一反向电压加在变压器原边两头,是以,Cds与变压器原边励磁电感及其漏感起头谐振,谐振时代,开关管的漏极电压逐步降落,贮存于Cds中的能量的一部份将转移到副边,另外一局部能量前往输出电源,直到谐振竣事,漏极电压不变至直流输出电压(Vin)与变更器次级反射电压(Vor)之和巨细。
为便利懂得,对Q1关断时辰的尖峰端Uds的波形电压剖解阐发,鄙人图中,Vdsmax=Vinmax+Vor+Vspike,此中:
Vds:Q1中D与S两头电压
Vin:直流输出电压
Vor:变压器次级反射电压
Vspike:变压器低级漏感形成的尖峰电压
3、RCD差别电阻下的波形阐发
RCD钳位电路傍边,挑选适合的电阻电容对能量接收和输出效力和芯片发烧起着关头的感化,有些开关电源是不须要RCD等其余接收电路的,详细电路详细阐发,去掉以后芯片内置MOS管能够会轻易破坏,是以,普通都要增添接收电路。
以下图是反激式开关电源局部电路,看看转变电阻R1阻值,Uds波形参数会有甚么变更,取R1分别即是360K、180K、106K,市电输出190VAC、不异负载环境下测试的波形。
1) R1=360K
从下图能够看出来,在R1=360K时辰,Vds=548.6V
2) R1=180K
从下图能够看出来,在R1=180K时辰,Vds=481.0V
3) R1=108K
从下图能够看出来,在R1=106K时辰,Vds=457.6V
从以上三张图能够看出,电阻越小,Vds电压越小,这是由于放电电流越快,由于C1接收的能量靠电阻来耗损,可是R1太小会增大变压器能量耗损;
现实上,电容值过大时,电容两头电压回升迟缓,变压器原边的能量不能疾速通报到变压器副边;电容值太小,电容上电压很快会降到变压器副边反射电压,在开关管导通之前,箱位电路电阻将成为反激开关电源的死负载,耗损变压器的磁芯能量,降落全部电路效力。
电容电阻都须要挑选适合,如电压峰值比拟大,那末电容的电压应力大,在知足箱位电路功效的感化环境下,可停止电容值的增大电容,从而能够降落电压电压峰值;
同时须要调理箝位电路的电阻值,使得幵关管导通时,电容上电压降为靠近变压器副边反射电压,以后电容对电阻持续放电至开关管再次导通。
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