【图文分享】完成MOS管疾速关断的电路计划-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-04-13
当利用MOS管停止一些PWM输入节制时，因为此时开关频次比拟高，此时就请求咱们能更疾速的开关MOS管，从实际上说，MOSFET的关断速率只取决于栅极驱动电路。
固然电流更高的关断电路能够更快对输入电容器放电，从而延长开关时候，进而下降开关消耗。若是利用通俗的 N沟道器件，经由进程更低输入阻抗的 MOSFET驱动器和/或负关断电压，能够增大放电电流。
进步开关速率也能下降开关消耗，固然因为 MOSFET的疾速关断也会形成 di/dt和 dv/dt更高，是以关断加快电路会在波形中增添振铃的产生。
下图是一个典范的MOS管驱动电路组成道理图，咱们先简略阐发一下各个元器件。电容Cg是MOS管本身的米勒寄生电容，MOS管的开关快慢它是一个首要影响身分，因为以是咱们能够从器件选型上挑选Cg较小的MOS管；
Lg和Rg跟驱动电路另有MOS和PCB布线有关，为了完成疾速开关MOS，咱们须要把这几个参数都降到最低才行，接上去就别离说说对应的详细设想。
1.下降栅极电阻Rg和寄生电感Lg
Rg的存在首要是为了下降MOS开关时振铃的产生，以是起首内部串连的Rg要在知足基于削弱开关振铃的请求的根本上尽能够的小，其次PCB走线不能太细，固然驱动器和MOS间隔要尽能够近，减小电流回路，PCB走线和器件规划对下降Lg来讲很首要，大师必然要正视。
2.进步驱动电流才能
间接用单片机IO口驱动来完成MOS管疾速开关那可太坚苦了，究竟结果单片机IO口驱动才能其实无限啊。选用两个三极管搭建推挽输入驱动电路是个不错的本钱不算高的挑选。
3.增添疾速关断二极管
在此电路中，RGATE许可调剂 MOSFET守旧速率。在关断进程中，反向并联二极管会对电阻器停止分流。可是二极管存在着导通电压的题目，跟着栅源极电压靠近 0V，二极管的感化愈来愈小。
以是，此电路能明显削减关断提早时候，对全体开关时候和 dv/dt抗扰性赞助无限，以是咱们停止二极管选型时要挑选导通压降小的二极管，比方肖特基二极管。
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