N沟道MOS管KIA3414 4.2A20V SOT-23 场效应管原厂送样-KIA MOS管

KIA3414接纳进步前辈的沟槽手艺，供给超卓的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装配合用于负载开关或PWM利用。标准产物KIA3414无铅（合适ROHS和Sony 259标准）。KIA3414是一款绿色产物订购选项。KIA3414在电气上是不异的。

VDS (V)=20V

ID=4.2A

RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)

RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)

产物型号：KIA3414

任务体例：4.2A/20V

漏源电压：20V

栅源电压：±12A

泄电留连续：4.2A

脉冲漏极电流：15A

耗散功率：1.4W

热电阻：70℃/W

漏源击穿电压：20V

栅极阈值电压：-0.4V

输入电容：436PF

输入电容：66PF

回升时候：6.3ns

封装情势：SOT-23

N沟道MOS管KIA3414 4.2A20V

	KIA3414 4.2A/20V
产物编号	KIA3414 N沟道MOSFET
产物特点	VDS (V)=20V ID=4.2A RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A) RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
合用规模	合用作为负荷开关或在PWM
封装情势	SOT-23
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厂家	KIA原厂家
网址	ww.danandtravis.com
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