反激开关MOSFET源极流出电流图文分解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-04-12
反激开关MOSFET 源极流出的电流（Is）波形的转机点的阐发。
良多工程师在电源开辟调试进程中，测的的波形的一些关头点不是很清晰，下面针对反激电源实测波形来阐发一下。
题目一，一反激电源实测Ids电流时前端有一个尖峰（以下图白色圆圈里的尖峰图），这个尖峰究竟是甚么缘由引发的？如何来消弭或改良？
大师都晓得这个尖峰是开关MOS守旧的时辰呈现的，按照反激回路，Ids电流环为Vbus经变压器原边、而后颠末MOS再到Vbus构成回路。
原来原边线圈电感特征，其电流不能渐变，本应呈线性回升，但因为原边线圈匝间存在的散布电容（以下图中的C），在开启刹时，使Vbus经分存电容C到MOS有一高频通路，以是构成临时候很短尖峰。
经阐发，晓得此尖峰电流是变压器的原边散布参数形成，以是要从原边绕线层与层指尖间动手，能够加大空隙来削减耦合，也能够尽能够设想成单层绕组。
比方变压器尽能够选用Ae值大的，使设想时绕组圈数变少削减了层数，从而使层间电容变小。也可削减线与线之间的打仗面，到达削减散布电容的目标。如三明治绕法把原边分隔对此尖峰有改良，还能削减漏感。
固然，不管如何不能完整避免散布电容的存在，以是这个尖峰是不能完整消弭的。并且这个尖峰高发生的振荡，对EMI倒霉，现实任务影响倒不大。但若是太高能够会引发芯片过流检测误触发。
以是电源IC外部城市加一个200nS-500nS的LEB Time，避免误触发，便是咱们常说的消隐。
题目二，开关MOS关端时，IS电流波形上有个凸起（以下图白色圈内的电流波形的凸起）这是如何回事？如何改良？
说这个缘由之前先对照下mos漏极电流Id与mos源极电流Is的波形。
实测Id波形以下
实测Is波形以下
从下面的这两个图中看出，ID比IS大一点是如何回事？实在Is 是不即是Id的，Is = Id+Igs（Igs在这里是负电流，Cgs的放电电流以下图），那A,B 两点波形，就轻易诠释了。
Id比Is大，是因为IS叠加了一个反向电流，以是呈现Is降落拐点。明显要改良这个电流凸起能够换开关MOS管型号来调理。
看了下面Id的电流波形后题目又来了，mos关断时ID的电流为什么会呈现负电流？以下图
MOS关断时，漏感能量流出给Coss充到高点，即Vds反射尖峰的极点上。到最高点后Lk相位翻转，Coss反向放电，这时候电流流出，也便是Id负电流部份的发生。
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