MOSFET-功率器件中热阻值的丈量分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-04-08
热阻值是功率器件中首要的参数之一，反应了功率器件的驱动才能。热阻值的巨细与功率器件自身和地点 PCB 板散热面积有关。是以，本文描写了功率器件的热阻值的丈量体例。
尝试平台
1、某功率器件
2、电源、示波器、电子负载等
尝试道理
热阻值的单元为℃/W，是以，只要要丈量功率器件单元功率下的温升便可实现热阻值的测定。而功率的丈量，能够经由过程对功率器件施加特定的负载，并经由过程 P=UI 便可实现；
温升的测定则须要按照功率器件（功率 MOS 管）的体二极管来实现，按照经历公式，功率器件的温升与体二极管的电压知足：℃=2mV，即体二极管“单元环境”下降低 2mV，功率器件温升 1℃，是以，须要丈量体二极管“单元环境”下的电压。
尝试步骤
1、如图所示毗连电路
2、设定电子负载为 0.02A，翻开电源，测得以下波形
按照上图，Drain 和 Source 间，也便是体二极管两头的电压 V0 = 537.5mV。
3、设定电子负载为 2A/0.02A，90%占空比，测得以下波形
按照上图，2A 对应的体二极管两头电压 V1 = 637.5mV,0.02A 对应的体二极管两头电压 V2 = 475mV。
则△V = |V2-V0| = 62.5mV，对应的功率器件温升为：
T = 31.25℃。
功率器件所驱动的负载功率：
P = Vcc*I*90% = 0.6375*2*0.9 = 1.1475W
是以，该功率器件的热阻值为：
Tj = T/P = 27.2℃/W
按照上述步骤实现了功率器件热阻值的丈量。
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