【典范电路】限流掩护电路图文阐发-KIA MOS管

下图是一个典范的限流掩护电路，本文阐发一下其任务道理和限流掩护机制。

图 1 典范限流掩护电路

限流掩护电路任务道理

Q1 和 Q2 组成互锁电路，即 Q1 导通时 Q2 停止，Q2 导通时 Q1 停止。

在上电以后，这两个晶体管的导通畅序由 C1-R2-R3，C2-R1 决议。即在上电以后，因为电容两头电压不能渐变，Q1 的基极电压将由电容 C1 负极电压 VCC 颠末 R2，R3 逐步减小至 0V；而 Q2 的基极电压将由 C2 负极电压 VCC 颠末 R1 逐步减小至 0V。

经由进程计较能够得悉，Q1 的基极电压为 0 时，须要 20ms 的时候，而 Q2 的基极电压为 0 时，只须要 3ms 的时候，也便是说 Q2 的基极电压的降落速率是 Q1 的 7 倍。是以，Q2 将先于 Q1 导通，Q2 导通以后，Q1 停止。

图 2 Q1 和 Q2 基极电压的变更时候

别的，该限流掩护电路在限流掩护状况下不能规复，固然 Q1 处于导通状况，输入电压也为 VCC，可是因为 R2 串连此中，以是驱动才能很是小，若是能让电路规复，可增添 R4。

图 1 中的三极管能够换为 P 沟道 MOSFET IRLML5203，图 3 是示波器抓取的限流电路任务波形，C1 是 Q1 的基极电压，C2 是 Q2 的基极电压，C3 是输入电压，C4 是电源电压 VCC=12V。

图 3 限流电路启动时的波形

按照上图能够看出，在上电以后，Q1 和 Q2 的基极电压刹时到达电源电压，随后 Q1 和 Q2 的基极电压均降落，只是 Q2 的基极电压降落的较快，约莫在 300us 的时候，Q2 导通，输入端起头有电压，随后 Q2 基极电压延续降落，直至电压为 0V，在此时代 Q1 基极电压被拉高。

限流掩护电路的掩护机制

下图是输入对地短路环境时电源上电的波形图：

图 4 限流掩护电路的掩护机制波形

当输入对地短路时，上电以后，还是 Q2 先导通，随后电源对地短路，电源电压急剧降落并反弹（电源电压急剧降落进程中，Q1、Q2 和电源电压的降落速率为 Q2>Q1>电源电压，申明电容 C1 和 C2 还在延续放电）。

电源电压反弹以后，Q1 和 Q2 的基极电压均再次降落，Q2 的降落速率仍快于 Q1，直至 Q1 导通，Q2 停止，电源电压规复一般，Q1 和 Q2 的基极电压也由 C1 和 C2 充电规复一般，最初，Q1 的基极电压降至 0V，Q2 的基极电压降低至 VCC。

差别电源电压的掩护特征

上面将电源电压设置为 3.3V，测试限流掩护电路的任务环境和掩护机制：

差别 P 沟道 MOSFET 的掩护特征

上面将 P 沟道 MOSFET 换为驱动才能更小的 BSS84PW，电源电压 VCC=12V，测试限流掩护电路的任务环境和掩护机制：

在任务中输入对其余电源短路环境上限流掩护电路的掩护机制

在电源电压 VCC=12V 与一个小的电源电压（3.3V 或 5V）短路，测试限流掩护电路的掩护机制。

图 10 输入与 3.3V 电源短路

这类环境下，Q1 处于停止状况，Q2 一向处于导通状况，输入 12V 电压，也便是说 12V 电压将 3.3V 的电压拉高了。

限流掩护电路的器件选型

按照上述阐发的限流掩护电路的任务道理能够得出：

1. P 沟道 MOSFET 或 PNP 三级管的驱动才能要大于负载的任务电流，小于被掩护电源芯片的输入电流；

2. 阻容的挑选要保障 Q2 的导通时候小于 Q1 的导通时候，整体的切换时候要适合，减小该限流掩护电路的呼合时候。

3. 若是要同时掩护对地短路和对小电源电压掩护的环境，能够在输入端串接一个二极管，二极管对电源形成的压降要知足负载的请求。

接洽体例：邹师长教师

接洽德律风：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号

请“存眷”官方微信公家号:供给  MOS管  手艺赞助

免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。