轻负载时开关元件MOSFET任务的注重事变-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-04-01
相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积储的能量少，以是很有能够在滞后臂的COSS充放电实现之前就起头开关任务。是以，ZVS任务没法履行，很轻易产生MOSFET的导通消耗。
另外一方面，当超前臂的MOSFET的COSS充放电时，能量经由过程变压器被保送到二次侧。
参考后面的思绪，经由过程能量出入来斟酌ZVS的建立前提时，以Mode（2）为例，假定相移全桥电路的变压器的匝比为n，则超前臂的ZVS建立前提可用上面的公式来表现。
IL2是Mode（1）竣事时的IL，EOSS_Q1和EOSS_Q2别离是实现Q1和Q2的COSS充放电所需的能量。
在现实的电路任务中，须要设置Dead Time来避免高低臂短路。
如上所述，在轻负载时，滞后臂MOSFET的充放电能够还没有实现，即能够会有漏极电压VDS残留（成为硬开关），是以，在某些Dead Time的设置，能够会致使滞后臂MOSFET的导通消耗增添。是以，在设置Dead Time时须要注重这一点。
下图是在Dead Time优化和未优化环境下导通时的表示图。
在Dead Time未优化的环境下，会刹时流过很大的漏极电流ID。
这是因为遭到了两种电流的影响：第一种是栅极-漏极间电容CGD和栅极-源极间电容CGS的电容比，致使栅极-源极间电压VGS跨越了阈值电压，从而引发的纵贯电流；另外一种是对应桥臂MOSFET的COSS的充电电流。
此中，后者COSS的充电电流在硬开关任务时必然会产生，但前者的纵贯电流则能够经由过程设置MOSFET的CGD和CGS的恰当电容最近避免。是以，挑选CGD和CGS的电容比恰当的MOSFET很重要。
关头要点
轻负载时，电流小，LS中积储的能量少，是以很有能够在COSS的充放电实现之前就起头开关任务，致使ZVS任务没法履行，轻易产生MOSFET的导通消耗。
COSS的充放电未实现能够会致使VDS残留，是以须要设置恰当的Dead Time来避免高低桥臂短路引发的纵贯电流。
MOSFET的CGD和CGS的某些电容比能够会致使流过纵贯电流，是以挑选该电容比恰当的MOSFET很重要。
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