广东可易亚半导体科技无限公司

国度高新企业

cn

消息中间

N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管参数 SOT-23 原厂直销送样-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2022-03-31 

分享到:

N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管参数 SOT-23 原厂直销送样-KIA MOS管


N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管特点

VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A

VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A

功率MOSFET

100%测试


N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管参数规格

产物型号:KIA2306

任务体例:3.5A/30V

漏源电压:30V

栅源电压:±20A

泄电留连续:3.5A

脉冲漏极电流:16A

雪崩电流:1.25A

耗散功率:1.25W

热电阻:100V/℃

漏源击穿电压:30V

栅极阈值电压:1V

输入电容:555PF

输入电容:120PF

回升时候:7.5ns

封装情势:SOT-23


N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管封装图

N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管参数概况



N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管PDF材料 点击下图





接洽体例:邹师长教师

接洽德律风:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

接洽地点:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号

请“存眷”官方微信公家号:供给  MOS管  手艺赞助

免责申明:本网站局部文章或图片来历别的来由,若有侵权,请接洽删除。






s