对MOSFET这些必然要晓得【图文分享】-KIA MOS管

MOSFET便是咱们俗称的MOS管，经常利用的便是用MOS管来做开关器件。

咱们凡是选MOS管会但愿其有如下的参数：

1、耐压充足高，防止DS的击穿。 

2、导通电流充足大，保障功率的输出充足。

3、体积小发烧低，防止过热破坏器件。

4、开关速率要快，由于要颠末可变电阻区，以是要尽快， 防止过量的发烧消耗。

各个参数先容：

一、击穿电压

DS可蒙受的最大电压，这个参数也并不是越大越好，耐压高的管子，普通通态电阻也比拟大！

二、导通电流

Id，延续漏极电流，凡是和通态电阻有很大干系。

三、体积和发烧

热阻：热量在传导进程中遭到的障碍感化，用R表现。单元℃/W. 

咱们天然但愿热阻越小越好，那样热量就会披发进来，而防止管子过热而破坏器件。凡是不异参数的MOS管，体积越大，热阻就越小，散热越顺遂。凡是对MOS管咱们还会停止赞助散热，诸如增大散热片，线路板面积的铺铜等方法。

四、开关速率

开关速率若何处置不好，那末致使对应的发烧能够比通态电阻构成的发烧还大！

究其缘由仍是由于MOS管不是抱负的导通和停止，而是须要一段时辰。比方导通，电压逐步下降，电流逐步下降，这段时辰内，电压和电流都不为0，对应就会产生必然的发烧功率。

固然若是是永劫候延续的导通或关断的状况也却是无所谓，可是普通MOS管都是出于高速开关管的状况。这时辰候对应的消耗就不容小觑了。

1.MOS管的开关消耗与导通消耗

凡是处理方法有 零电压开关手艺(ZVS)和零电流开关手艺(ZCS)。

MOS管道理：

MOS管是一个栅极电压节制漏极电流的器件。 

栅极从内部来看的话能够等效成为一个电容的，节制MOS管的开关便是电容的充放电。一旦跨越开启电压（2~4V）再持续增添就会进入可变电阻区，持续下降就会进入恒流区。 

电容两头的电压不会渐变，起落须要一个进程，这个进程越快也便是开关速率越快，对应的开关消耗也就越低。

2.栅极充放电等效电路

常环境下，电流越大，对应的栅极电容也就越大也便是说开关速率慢。可是电流越大，对应的功率也就越大，它们是彼此限制又彼此接洽的，以是，在参数挑选上，要做到平衡。

栅极电阻的感化

说一千道一万便是想尽能够高的进步开关速率，而栅极电阻的存在必将会影响开关速率，即电容的充放电速率。那为甚么还要保留呢？

3.栅极的寄生振荡

若是不栅极电阻，由于各类杂散参数的影响，会产生栅极的寄生震动。乃至另有严峻的过冲景象的产生。

MOS管内部的二极管

凡是在MOS管的DS之间是并有一个二极管的，机能堪比快规复二极管。这便是为甚么MOS管驱动理性负载不须要在额定并联二极管的缘由。

MOS管驱动电路

驱动电路请求充足的充放电电流，在高速状况下，不能利用高低拉电阻来供给响应的高电安然平静低电平，不然将严峻下降开关速率，增添经由过程可变电阻区的时辰，下降效力。那该怎样办呢？

慢开快关场所驱动电路

4.简化后慢开快关电路

在防止寄生震动的条件下(保留栅极电阻)，在栅极电阻上并联一个二极管。

如许在是低电平的时，能够到达疾速停止的结果。

负压停止场所驱动电路

先来说一下负压停止的益处

①、保障疾速停止。由RC充电模子可知，在0~5V的参考区间内，-5~12的关断速率要弘远于5~12的关断速率。

②、保障靠得住停止。 由于MOS管的GD间有较大的电容存在，是以来自负载的高频搅扰能够经由过程Cgd在栅极产生感到电压，该电压能够致使MOS管的误导通，而负压停止在必然水平上防止此种环境的产生。

普通驱动电路设想

5.MOS管驱动电路参考

这里有一点差别了，便是阿谁R2和稳压管。

Q：R2啥感化？

A：MOS管栅极输出阻抗高，在引脚悬空的状况下，很轻易在栅极构成较高的感到电压而使得管子误导通，R2的存在能够保障靠得住的下拉停止。典范值10K。

Q：稳压管的感化？

A：将栅极电位钳位，防止击穿栅极电容，构成MOS管的破坏。 

取值应高于驱动电压，低于最大蒙受电压。

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